Нoвaя рaзрaбoткa брoсaeт вызoв трaдициoннoму дизaйну
Кoмпaнии IBM и Samsung Electronics сoвмeстнo oбъявили o прoрывe в рaзрaбoткe полупроводниковых технологий, основанном держи использовании новой вертикальной транзисторной архитектуры, которая открывает траектория к масштабированию за границы наноуровня и имеет (внутренние значительного снижения энергопотребления объединение сравнению с транзисторами FinFET.
Логичность Мура, согласно которому сумма транзисторов в микросхемах ориентировочно удваивается каждые двойка года, быстро приближается к тому, что же считается непреодолимым препятствием.
Исторически транзисторы проектировались приближенно, чтобы «лежать» для поверхности полупроводникового кристалла, подле этом электрический водобег течёт в горизонтальном направлении. Новые транзисторы, получившие (про)звание Vertical Transport Field Effect Transistors, аль VTFET, формируются перпендикулярно поверхности кристалла, и стрежень в них течёт к верховью или вниз.
Развитие VTFET устраняет многие шипы на пути дальнейшему повышению производительности степени интеграции. Спирт также касается контактов транзисторов, позволяя выжать больший ток с меньшими потерями энергии. В целом новая сооружение нацелена на двукратное сдвиг производительности или получи и распишись сокращение энергопотребления держи 85% по сравнению с FinFET.
В пресс-папье-релизе, посвящённом прорыву, установлено, что глобальный голод полупроводниковой продукции «подчеркнул неодобрительно важную роль инвестиций в исследования и разработки микросхем, а равным образом важность микросхем нет слов всем: от вычислений задолго. Ant. с бытовой техники, устройств знакомства, транспортных систем и неодобрительно важных инфраструктур».
Проходка была выполнена специалистами комплекса Albany Nanotech Complex, что назван «ведущей в мире экосистемой интересах исследований в области полупроводников, создающей неимоверный поток инноваций, помогая отхерачить потребности производства и убыстрить рост мировой индустрии микросхем».
